小林 清輝
コバヤシ キヨテル
- 教授
- 学位:博士(工学)
基本情報
所属
- 工学部 / 電気電子工学科
- 総合理工学研究科 / 総合理工学専攻
- 工学研究科 / 電気電子工学専攻
詳細情報
研究キーワード
- 不揮発性半導体メモリ
- 絶縁薄膜の物性と電気特性
- 電荷捕獲絶縁膜
- 半導体集積回路プロセス技術
- 電荷捕獲メモリ
研究分野
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) 電気電子材料工学
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) 電子デバイス、電子機器
- ナノテク・材料 薄膜、表面界面物性
委員歴
- - 電気化学会電子材料委員会 副委員長
- - 半導体界面制御技術第154委員会 委員
論文
Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories
金属電極の仕事関数が シリコン窒化膜の紫外線照射後の伝導電流に及ぼす影響
書籍等出版物
- 集積回路のための半導体デバイス工学
- ECS Transactions, Volume 75, Issue 32, PRiME 2016/230th ECS Meeting, October 2, 2016 - October 7, 2016, Honolulu, Nonvolatile Memories 5
- ECS Transactions Volume 69, Issue 3 228th ECS Meeting October 11, 2015 - October 15, 2015 Phoenix, AZ Nonvolatile Memories 4
- ECS Transactions Volume 64 Cancun, Mexico, October 5 – 9, 2014 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 電気化学便覧 第6版
- JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume 48, Number 5, May 2009, Special Issue Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology
- 2004 半導体テクノロジー大全
講演・口頭発表等
- Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories
- Influence of the Work Function of Metal Gate Electrodes on UV-Light-Induced Conduction Current through Silicon Nitride Films
- Application of Silicon Carbonitride Dielectric Films to Charge Trapping Nonvolatile Memories
- Mechanism of Charge Transport in UV-Illuminated Silicon Nitride Films
- Internal Repair for Plasma Damaged Low-k Films by Methylating Chemical Vapor
- Photoinduced leakage currents and paramagnetic defects in amorphous SiCN and Si3N4 dielectrics for ULSI applications
- Photoinduced Leakage Current in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers
- Characterization of Defects Generated in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers
- Oxygen Distribution in Nickel Silicide Films Analyzed by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry
- Leakage Current and Paramagnetic Defects in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barrier
- Depth profile analysis of nickel silicide films using time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS)
- Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics
- Temperature dependence of TDDB characteristics of thin SiO2film for flash memory
- Degradation of the characteristics of p+poly MOS capacitors with NO nitrided gate oxide due to post nitrogen annealing
- High reliability of nanometer-range N2O-nitrided oxides due to suppressing hole injection
- Impact of high pressure dry O2 oxidation on sub-quarter micron planarized LOCOS
- Effect of N2O or NO annealing of wet oxide at different times on TDDB characteristics
- Reliability evaluation of thin gate oxide using a flat capacitor test structure
- Simulation of plastic deformation of silicon during thermal oxidation
担当経験のある科目
- 集積回路工学
- 半導体工学1
- 量子力学の基礎
- 固体物性基礎特論
- 集積回路プロセス
- ディジタル電子回路
所属学会
- The Electrochemical Society
- 電子情報通信学会
- 電気化学会
- 応用物理学会
共同研究・競争的資金等の研究課題
電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究
低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究
不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究
産業財産権
- Semiconductor device and manufacturing method thereof
- Semiconductor device comprising trench-isolated transistors
- Non-volatile semiconductor memory device with improved performance
- Methods of writing/erasing of nonvolatile semiconductor storage device
- Nonvolatile semiconductor device
- 半導体装置の製造方法
- 半導体装置およびその製造方法
- 半導体装置
- 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
- 半導体装置及び半導体装置の製造方法
- 半導体の製造方法
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ビーワンオフィス(広報担当)
Tel. 0463-63-4670(直通)