小林 清輝

小林 清輝

コバヤシ キヨテル

  • 教授
  • 学位:博士(工学)

基本情報

所属

  • 工学部 / 電気電子工学科
  • 総合理工学研究科 / 総合理工学専攻
  • 工学研究科 / 電気電子工学専攻

詳細情報

研究キーワード

  • 電荷捕獲絶縁膜
  • 薄膜成長
  • 不揮発性半導体メモリ
  • LSIプロセス

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) 電子デバイス、電子機器
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) 電気電子材料工学
  • ナノテク・材料 薄膜、表面界面物性

委員歴

  • - 電気化学会電子材料委員会 副委員長
  • - 半導体界面制御技術第154委員会 委員

論文

Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories

金属電極の仕事関数が シリコン窒化膜の紫外線照射後の伝導電流に及ぼす影響

Characterization of defects generated in SiCN dielectrics for copper diffusion barriers

書籍等出版物

  • 集積回路のための半導体デバイス工学
  • ECS Transactions, Volume 75, Issue 32, PRiME 2016/230th ECS Meeting, October 2, 2016 - October 7, 2016, Honolulu, Nonvolatile Memories 5
  • ECS Transactions Volume 69, Issue 3 228th ECS Meeting October 11, 2015 - October 15, 2015 Phoenix, AZ Nonvolatile Memories 4
  • ECS Transactions Volume 64 Cancun, Mexico, October 5 – 9, 2014 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
  • 電気化学便覧 第6版
  • JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume 48, Number 5, May 2009, Special Issue Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology
  • 2004 半導体テクノロジー大全

講演・口頭発表等

  • Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories
  • Influence of the Work Function of Metal Gate Electrodes on UV-Light-Induced Conduction Current through Silicon Nitride Films
  • Application of Silicon Carbonitride Dielectric Films to Charge Trapping Nonvolatile Memories
  • Mechanism of Charge Transport in UV-Illuminated Silicon Nitride Films
  • Internal Repair for Plasma Damaged Low-k Films by Methylating Chemical Vapor
  • Photoinduced leakage currents and paramagnetic defects in amorphous SiCN and Si3N4 dielectrics for ULSI applications
  • Photoinduced Leakage Current in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers
  • Characterization of Defects Generated in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers
  • Oxygen Distribution in Nickel Silicide Films Analyzed by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry
  • Leakage Current and Paramagnetic Defects in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barrier
  • Depth profile analysis of nickel silicide films using time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS)
  • Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics
  • Temperature dependence of TDDB characteristics of thin SiO2film for flash memory
  • Degradation of the characteristics of p+poly MOS capacitors with NO nitrided gate oxide due to post nitrogen annealing
  • High reliability of nanometer-range N2O-nitrided oxides due to suppressing hole injection
  • Impact of high pressure dry O2 oxidation on sub-quarter micron planarized LOCOS
  • Effect of N2O or NO annealing of wet oxide at different times on TDDB characteristics
  • Reliability evaluation of thin gate oxide using a flat capacitor test structure
  • Simulation of plastic deformation of silicon during thermal oxidation
  • Low-temperature (625°C) silicon epitaxial growth on silicon substrates heated-up in SiH4 atmosphere

所属学会

  • The Electrochemical Society
  • 電子情報通信学会
  • 電気化学会
  • 応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究

低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究

不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究

産業財産権

  • Semiconductor device and manufacturing method thereof
  • Semiconductor device comprising trench-isolated transistors
  • Non-volatile semiconductor memory device with improved performance
  • Methods of writing/erasing of nonvolatile semiconductor storage device
  • Nonvolatile semiconductor device
  • 半導体装置の製造方法
  • 半導体装置およびその製造方法
  • 半導体装置
  • 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  • 半導体の製造方法

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取材・研究に関するお問い合わせ先

取材に関するお問い合わせ

大学広報部企画広報課

Tel. 0463-58-1211(代表) Fax. 0463-50-2215