秋山 泰伸
アキヤマ ヤスノブ
- 教授
- 学位：博士（工学）
基本情報
所属
- 工学部 / 応用化学科
- 総合理工学研究科 / 総合理工学専攻
- 工学研究科 / 応用理化学専攻
- マイクロ・ナノ研究開発センター
ジャンル
- エネルギー問題
- 教育・学校
- ボランティア
- エジプト文明
- 化学
研究と関連するSDGs
研究内容
最先端の薄膜技術、古代の化学の再現、さらに、一般向け科学教育に関する研究
以下のような研究を行っています。
①スマートフォンやパソコン、また、高速通信に代表される現代から近未来の情報化社会を支える半導体の作製技術に関する研究を行っています。②古代エジプトの失われた化学技術を再現するとともに、現代の技術への応用や融合について研究を行っています。③低年齢から高齢の方まで各年齢層に応じた科学教材・教育法の開発を、ボランティアの活用を含め、産学官と共同で行っています。
詳細情報
研究キーワード
- 考古化学
- 物理化学
- 無機化学
- 化学工学
研究分野
- ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） 反応工学、プロセスシステム工学
- ナノテク・材料 無機材料、物性
- ナノテク・材料 基礎物理化学
- 人文・社会 考古学 考古化学
受賞
- 化学工学会研究賞
論文
東海大学所蔵アンデス・コレクションのガラス玉の復元製作
ホタテ貝殻粉末を用いた凝集沈殿剤によるカオリン懸濁水の凝集沈殿処理
古代エジプトの硫黄製ビーズに関する研究
イオン化コントロール法を利用した水酸アパタイト-アルギン酸複合ゲルの合成
減圧CVD法によるリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製
常圧CVD法を用いた酸化亜鉛薄膜の作製
コールドウォール型CVD装置を用いたリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製
減圧熱CVD法による酸化亜鉛スズ薄膜合成の際の成長速度
減圧CVD法によるチタン酸バリウム薄膜の作製
LPMOCVD法を用いたチタン酸ストロンチウム薄膜の作製
CVD (Chemical Vapor Deposition) 法による酸化物膜の成膜 : 反応工学的見地に基づくCVD過程の解析
減圧熱CVD法により作製した酸化亜鉛と二酸化スズ薄膜の電気特性
LPMOCVD法を用いた炭酸バリウム・ケイ酸バリウムと酸化チタンの成膜
コールドウォールおよびホットウォール型熱CVD装置の反応特性
熱CVD法で作製したSr-Ti酸化物薄膜の組成
講演・口頭発表等
- Al2O3マスクを用いたプロセスによるSi3N4光導波路の作製
- 磁化固定層に合成反強磁性を用いた磁壁移動型MO光変調素子の磁化挙動シミュレーション
- ポリスチレン微粒子作製時の粒子径へのメタノール濃度が及ぼす影響
- 減圧CVD法で作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製
- 減圧熱CVD法で作製したリチウムドープ酸化亜鉛薄膜のステップカバレッジ
- Gdx‐Fe1-x合金磁性細線における電流誘起磁壁移動特性の組成依存性
- Gdx‐Fe1-x合金を用いた磁性細線の磁気特性と電流誘起磁壁移動
- コールドウォール型熱CVD法による様々な基板位置での酸化亜鉛薄膜の作製
- 引き上げ法における微粒子膜の配列制御
- Gd‐Fe合金を用いた磁性細線の作製とその評価
- 電流誘起磁壁駆動に向けたGd‐Fe磁性細線の作製とその評価
- 引き上げ法におけるポリスチレン微粒子膜の配列制御
- コールドウォール型熱CVD法を用いて作製した酸化亜鉛薄膜の成膜速度
- 熱CVD過程のモデル化
- ソープフリー乳化重合によるポリスチレン微粒子作製時の粒子径制御
- 熱CVD法で作製した酸化亜鉛薄膜の特性
- アセチルアセトナート亜鉛を原料としたCVD法による酸化亜鉛薄膜の作製
- 減圧熱CVD法によるリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製
- 常圧熱CVD法を用いたLi‐doped ZnO薄膜の作製
- アセチルアセトナート亜鉛を原料とした酸化亜鉛薄膜の減圧熱CVD
所属学会
- 無期マテリアル学会
- 日本化学会
- 応用物理学会
- 化学工学会
共同研究・競争的資金等の研究課題
強誘電体薄膜の製造
次世代光学材料としての大面積エピタキシャルニオブ酸リチウム極薄膜の合成
回転する環状液層内のパターン形成と制御
シリコンCZ炉における酸素移動の総合的シミュレーションと実験的検証
イオン、ラジカルの物性値の高精度推算
複酸化物薄膜のプラズマCVD装置シミュレーションコードの開発
熱CVD装置設計のためのグローバルプロセス解析
光CVDによる酸化物薄膜の常温合成プロセスの反応解析
量子分子動力学による多成分系CVDの反応解析と初期成膜シミュレーション
熱的マランゴニ対流と単結晶育成[表面張力の温度係数の符号の影響]
熱CVDによる多孔質体上への超薄型酸素イオン伝導膜の作製
MOCVD法による金属薄膜の合成と反応解析
物性値の測定
熱CVDのモデル化
産業財産権
- 成膜装置及び成膜方法
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取材に関するお問い合わせ
学長室（広報担当）
Tel. 0463-63-4670（直通）